Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design (IEEE Press Series on Microelectronic Systems)

IGBTを構成するMOSFET、Bipolarトランジスタ、PINダイオードについて非常に詳しく説明されている。Barigaの教科書(MODERN POWER DEVICES)などでは、簡単に説明されていたPINダイオードのI-V特性の導出方法などがAPPENDIXに丁寧すぎるぐらいに説明されていて、いままで分からなかった表式の意味を理解することができた。IGBTの静特性についても計算過程がほとんど書かれているので、IGBTの基礎を理解するには、便利な本であると思う。　ただ、動特性に関する記述は簡潔で詳細な計算過程が示されておらず、(5.53)式のように結果のみが記述されている点が残念である。このあたりの詳しい計算過程が記述されていれば言うことなしであった。

非常に詳しく書かれていますがちょっと古めのような気がします。